潔凈空間的溫濕度控制：

       潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來(lái)確定，但在滿(mǎn)足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著(zhù)空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來(lái)越嚴的趨勢。

      具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細，所以對溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來(lái)越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線(xiàn)性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車(chē)間，這種車(chē)間不宜超過(guò)25度。

     濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì )結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì )引起各種事故。相對濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著(zhù)的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)最佳溫度范圍為35—45%

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